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美光第四代3D NAND芯片出樣 有望2020年商用

【TechWeb】日前,美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片已經出樣,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架構,預計2020年美光第四代3D NAND閃存將開始商用。

同時,美光警告稱,使用新架構的存儲芯片將僅用于特定應用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多達128個有源層,并在陣列設計方法上繼續使用CMOS。新型3D NAND存儲器改變了用于柵替換的浮柵技術,以試圖降低尺寸和成本,同時提高性能,并簡化向下一代節點的過渡。該技術完全由美光公司開發,沒有英特爾任何投入,因此它很可能是針對美光公司最希望針對的應用量身定制。

美光表示,在其后續RG工藝節點廣泛部署之后,到2021財年將真正開始降低成本。

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